粒子放射線の非電離効果に関連する線量を測定する方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 重野隆之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-552240
特許番号：特許第5937108号
出願日： 2012年01月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】粒子放射線の非電離効果に関連する線量(Φeq)を測定する方法であって、半導体材料から形成される電極を備えるMOS型の容量素子(2)に放射線を照射するステップと、基板の電荷キャリアが誘電体/半導体界面へ向けて引き付けられる容量素子のバイアス状態に対応する蓄積状態の前記容量素子のキャパシタンス(CM)を測定するステップと、前記蓄積状態の前記容量素子のキャパシタンスの測定値から非電離効果に関連する線量(Φeq)を決定するステップと、を備えることを特徴とする方法。

IPC (2件)：