特許
J-GLOBAL ID：201603009842140194
インピーダンス変換回路の設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013073893
公開番号（公開出願番号）：WO2014-050482
出願日： 2013年09月05日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：
インピーダンス変換回路は次の手順で設計する。[1]インピーダンス比に応じてトランス回路の必要なトランス比を決定する。[2]第1インダクタンス素子(ループ状導体(L1A,L1B))と第2インダクタンス素子(ループ状導体(L2A,L2B))との結合係数、第1インダクタンス素子のインダクタンスおよび第2インダクタンス素子のインダクタンスをそれぞれ決定する。[3]第2インダクタンス素子の形状を決定する。[4]第1インダクタンス素子を少なくとも2層のループ導体で構成するように、第1インダクタンス素子の形状を決定するとともに、第1インダクタンス素子のインダクタンス値が所望の値となるように、各ループ導体間の層間距離を定める。
請求項（抜粋）：
第1高周波回路と第2高周波回路との間に接続され、互いに結合する第1インダクタンス素子および第2インダクタンス素子を備えたトランス回路を有し、前記第1インダクタンス素子および前記第2インダクタンス素子がそれぞれ層間で互いに結合し、前記第1インダクタンス素子が層方向に隣接し、前記第2インダクタンス素子が前記第1インダクタンス素子を層方向に挟むように配置されたインピーダンス変換回路の設計方法であって、
次の各ステップを順に実施することを特徴とするインピーダンス変換回路の設計方法。
[1]前記第1高周波回路のインピーダンスおよび前記第2高周波回路のインピーダンスに基づいて、前記トランス回路の必要なトランス比を決定する。
[2]前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子との結合係数、前記第1インダクタンス素子のインダクタンスおよび前記第2インダクタンス素子のインダクタンスをそれぞれ決定する。
[3]前記第2インダクタンス素子の形状を決定する。
[4]前記第1インダクタンス素子を少なくとも2層のループ導体で構成するように、第1インダクタンス素子の形状を決定するとともに、第1インダクタンス素子のインダクタンス値が所望の値となるように、各ループ導体間の層間距離を定める。
IPC (6件)：
H01Q 1/50
, H01F 19/06
, H01F 17/00
, H01F 41/00
, H01Q 5/10
, H03H 7/38
H01Q1/50
, H01F19/06
, H01F17/00 D
, H01F41/00 G
, H01Q5/01
, H03H7/38 A
5E070AA16
, 5J046AA02
, 5J046TA03
