特許

J-GLOBAL ID：201603009897756348

配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

発明者： 清水 規良 ,  郷津 雄資 ,  古市 潤 ,  六川 昭雄 ,  伊藤 隆司
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (2件)： 恩田 誠 ,  恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-228803
公開番号（公開出願番号）：特開2016-029697
出願日： 2014年11月11日
公開日（公表日）： 2016年03月03日
要約：

【課題】配線層と絶縁層との密着性を向上しつつも、配線層の抵抗上昇を抑制できる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板10は、配線層22と、配線層22を被覆する絶縁層31と、絶縁層31を厚さ方向に貫通する貫通孔31Xを充填し、絶縁層31から露出された上端面32Aを有し、配線層22と電気的に接続されたビア配線32と、を有する配線構造11を有する。配線基板10は、絶縁層31の上面31A及びビア配線32の上端面32Aに形成され、表面の一部が粗化面53R,54Rに形成された配線層50と、絶縁層31上に積層され、配線層50を被覆する絶縁層61と、を有する配線構造12を有する。配線構造12の配線密度は、配線構造11の配線密度よりも高い。また、粗化面53R,54Rの表面粗度は、配線層22の表面粗度よりも小さい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1配線層と、前記第1配線層を被覆する第1絶縁層と、前記第1絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第1配線層の上面を露出する第1貫通孔を充填し、前記第1絶縁層から露出された上端面を有するビア配線と、を含む第1配線構造と、 前記第1絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に形成され、表面の一部が粗化面に形成された第2配線層と、前記第1絶縁層上に積層され、前記第2配線層を被覆する第2絶縁層と、を含む第2配線構造と、を有し、 前記第2配線構造の配線密度は、前記第1配線構造の配線密度よりも高く、 前記粗化面の表面粗度は、前記第1配線層の表面粗度よりも小さいことを特徴とする配線基板。

IPC (1件)：

H05K 3/46

FI (5件)：

H05K3/46 Z ,  H05K3/46 B ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 Q ,  H05K3/46 T

Fターム (27件)：

5E316AA02 ,  5E316AA06 ,  5E316AA12 ,  5E316AA15 ,  5E316AA26 ,  5E316AA29 ,  5E316AA35 ,  5E316AA43 ,  5E316CC04 ,  5E316CC09 ,  5E316CC32 ,  5E316DD02 ,  5E316DD22 ,  5E316DD33 ,  5E316EE31 ,  5E316FF04 ,  5E316FF07 ,  5E316FF15 ,  5E316FF45 ,  5E316GG17 ,  5E316GG22 ,  5E316GG27 ,  5E316GG28 ,  5E316HH07 ,  5E316HH11 ,  5E316HH26 ,  5E316JJ02