ペルフルオロ基を有するホスフィン化合物、およびペルフルオロ基を有するホスフィンと金属との錯体の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山本秀策 , 森下夏樹 , ▲駒▼谷剛志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-263025
公開番号（公開出願番号）：特開2016-121115
出願日： 2014年12月25日
公開日（公表日）： 2016年07月07日
要約：

【課題】リンの元素収率、化学収率の向上したペルフルオロアルキルホスフィン化合物の製造方法の提供。【解決手段】光照射又はアゾビス(イソブチロニトリル)等のラジカル発生剤の存在下に、入手容易なトリフェニルホスフィン等のトリアリールホスフィン又は2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド(TMDPO)等とヨウ化ペルフルオロアルキルとを反応させるか、又はTMDPO等とヨウ化ペルフルオロアルキルとをジフェニルホスフィン、ジエチルホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィン等の存在下に反応させる、ペルフルオロアルキルホスフィン化合物の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

以下の一般式 Rf-PR1R2 で示されるホスフィン化合物を製造する方法であって、式中、 R1およびR2は、それぞれ独立して置換または非置換の炭化水素基であり、 Rfは、ペルフルオロ化された炭化水素基であり、該方法は、 (A)PR1R2R3R4R5と、Rf-LG(LGは脱離基である)とを反応させる工程であって、R3は置換もしくは非置換の炭化水素基または脱離基から選択され、かつ、R1およびR2とRf-LGに対する反応性が同じか、またはR1およびR2よりもRf-LGと反応し得る基であり、R4およびR5は、それぞれ存在しないか、O、N、およびSからなる群から選択されるヘテロ原子を含み得る置換もしくは非置換の炭化水素基であるか、または一緒になって=O、=S、もしくは=Seである、工程、および (B)得られた生成物から、該ホスフィン化合物を取り出す工程、を包含する、方法。

IPC (1件)：

C07F 9/52

FI (1件)：

C07F9/52

Fターム (16件)：

4H050AA02 , 4H050AA04 , 4H050AC70 , 4H050BA93 , 4H050BA95 , 4H050BD33 , 4H050BD52 , 4H050WA11 , 4H050WA12 , 4H050WA13 , 4H050WA14 , 4H050WA15 , 4H050WA16 , 4H050WA21 , 4H050WA24 , 4H050WA26

引用文献：

出願人引用 (4件)

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審査官引用 (4件)

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