特許

J-GLOBAL ID：201603009930049318

薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 伊藤 和志 ,  早川 明伸 ,  小原 峻士 ,  孫 仁徳
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 安富国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013062028
公開番号（公開出願番号）：WO2013-168567
出願日： 2013年04月24日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：

本発明は、光電変換材料の半導体材料として有用な硫化物半導体を、大面積で簡易に形成できる硫化物半導体形成用塗布液を提供することを目的とする。また、本発明は、該硫化物半導体形成用塗布液を用いて製造した硫化物半導体薄膜及び薄膜太陽電池を提供することを目的とする。本発明は、周期律表第15族の金属元素及び硫黄を含む錯体を含有する硫化物半導体形成用塗布液である。

請求項（抜粋）：

周期律表第15族の金属元素及び硫黄を含む錯体を含有することを特徴とする硫化物半導体形成用塗布液。

IPC (2件)：

H01L 21/368 ,  H01L 31/06

FI (3件)：

H01L21/368 ,  H01L21/368 L ,  H01L31/04 E

Fターム (11件)：

5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053FF02 ,  5F053HH05 ,  5F053LL05 ,  5F053PP03 ,  5F053PP11 ,  5F151AA07 ,  5F151FA06