特許

J-GLOBAL ID：201603010017378119

半導体圧力センサ、及び、その製造方法

発明者： 栫山 直樹
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 矢作 和行 ,  野々部 泰平 ,  久保 貴則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-005386
公開番号（公開出願番号）：特開2013-145163
特許番号：特許第5899939号
出願日： 2012年01月13日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 主面(10a)の面方位が(001)であるシリコン基板(10)と、 該シリコン基板(10)の主面(10a)に形成された歪ゲージ(30)と、を備え、 前記シリコン基板(10)には、厚さが局所的に薄くなった薄肉部(13)が形成され、その薄肉部(13)の上に前記歪ゲージ(30)が設けられた半導体圧力センサであって、 前記主面(10a)は、結晶方位[110]と結晶方位[-110]によって規定される平面に沿い、 前記薄肉部(13)の外形輪郭線は、自身の中心(13a)を対称点とする点対称な八角形を成し、 前記八角形を構成する8つの辺の内、互いに対向する2つの第1辺(14,15)が結晶方位[110]に沿い、互いに対向する2つの第2辺(16,17)が結晶方位[-110]に沿い、前記第1辺(14,15)と前記第2辺(16,17)とを連結する4つの第3辺(18〜21)が、結晶方位[110]から結晶方位[-110]に向かって45°傾いた方向に沿っており、 2つの前記第1辺(14,15)の間、及び、2つの前記第2辺(16,17)の間はそれぞれ距離L1だけ離れ、 前記第1辺(14,15)と前記第2辺(16,17)との間は、結晶方位[-110]に沿う方向において距離L2だけ離れており、 前記歪ゲージ(30)の中心(30a)は、前記薄肉部(13)の中心(13a)から、0.45L1以上、0.4875L1以下だけ離れ、 L2/L1は、0.295以上、0.33以下の値であることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/00 ( 200 6.01) ,  H01L 29/84 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G01L 9/00 303 B ,  H01L 29/84 B ,  H01L 29/84 A