特許

J-GLOBAL ID：201603010063885106

半導体基板、半導体基板の製造方法及び複合基板の製造方法

発明者： 青木 健志 ,  市川 磨 ,  山本 武継
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013004439
公開番号（公開出願番号）：WO2014-017063
出願日： 2013年07月22日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：

半導体結晶層形成基板の上に、第1半導体結晶層、第2半導体結晶層および第3半導体結晶層をこの順に有し、第1半導体結晶層の第1エッチング剤によるエッチング速度および第3半導体結晶層の第1エッチング剤によるエッチング速度の何れもが、第2半導体結晶層の第1エッチング剤によるエッチング速度よりも大きく、第1半導体結晶層の第2エッチング剤によるエッチング速度および第3半導体結晶層の第2エッチング剤によるエッチング速度の何れもが、第2半導体結晶層の第2エッチング剤によるエッチング速度よりも小さい半導体基板を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体結晶層形成基板の上に、第1半導体結晶層、第2半導体結晶層および第3半導体結晶層を有し、前記半導体結晶層形成基板、前記第1半導体結晶層、前記第2半導体結晶層および前記第3半導体結晶層が、前記半導体結晶層形成基板、前記第1半導体結晶層、前記第2半導体結晶層、前記第3半導体結晶層、の順に位置し、 前記第1半導体結晶層の第1エッチング剤によるエッチング速度および前記第3半導体結晶層の前記第1エッチング剤によるエッチング速度の何れもが、前記第2半導体結晶層の前記第1エッチング剤によるエッチング速度よりも大きく、 前記第1半導体結晶層の第2エッチング剤によるエッチング速度および前記第3半導体結晶層の前記第2エッチング剤によるエッチング速度の何れもが、前記第2半導体結晶層の前記第2エッチング剤によるエッチング速度よりも小さい 半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  C30B 33/10 ,  C30B 29/40 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L21/20 ,  C30B33/10 ,  C30B29/40 502F ,  H01L21/306 N

Fターム (52件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA05 ,  4G077BE05 ,  4G077BE44 ,  4G077BE45 ,  4G077BE47 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FG05 ,  4G077FG20 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F043AA20 ,  5F043BB07 ,  5F043BB10 ,  5F043BB12 ,  5F043DD21 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LP01 ,  5F152LP08 ,  5F152MM04 ,  5F152MM05 ,  5F152MM07 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM13 ,  5F152MM14 ,  5F152NN02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN07 ,  5F152NN08 ,  5F152NN13 ,  5F152NP04 ,  5F152NP05 ,  5F152NP06 ,  5F152NP07 ,  5F152NP08 ,  5F152NP30 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ07 ,  5F152NQ08 ,  5F152NQ10