光半導体装置、その製造方法、その製造に用いる基体およびリフレクタ成型体

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 清水義憲 , 酒巻順一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-161790
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022651
特許番号：特許第6007637号
出願日： 2012年07月20日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】表面に銀めっき層が形成された基板と、前記銀めっき層上にボンディングされた発光ダイオードと、前記基板上であって、前記発光ダイオードを取り囲む位置に配置されるリフレクタと、前記リフレクタ内に充填されて前記発光ダイオードを封止する透明封止部と、前記銀めっき層を被覆する雲母膜とを備え、前記雲母膜の厚さが0.005μm以上500μm以下(但し、0.1μm〜5.0μmを除く)である、光半導体装置。

IPC (1件)：