特許

J-GLOBAL ID：201603010080610960

ガス処理方法

発明者： 末正 智希
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013064011
公開番号（公開出願番号）：WO2013-183437
出願日： 2013年05月21日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：

チャンバー内の載置台に表面にシリコン酸化膜が形成された被処理体を載置し、載置台の上方に載置台に載置された被処理体に対応するように設けられたシャワープレート(58)の複数のガス吐出孔(62,63)から載置台上の被処理体に反応ガスであるHFガスおよびNH3ガスを吐出して、これらと被処理体表面のシリコン酸化膜とを反応させる処理を行い、その後、この反応により生成した反応生成物を加熱して分解除去することによりエッチングするにあたり、シャワープレート(58)を被処理体に対応して複数の領域(58a,58b)に分け、複数の領域(58a,58b)のいずれか1以上の領域のガス吐出孔を塞いで、HFガスおよび/またはNH3ガスの分布を制御する。

請求項（抜粋）：

チャンバー内の載置台に表面にシリコン酸化膜が形成された被処理体を載置し、前記載置台の上方に前記載置台に載置された被処理体に対応するように設けられたシャワープレートの複数のガス吐出孔から前記載置台上の被処理体に反応ガスであるHFガスおよびNH3ガスを吐出して、これらと被処理体表面の前記シリコン酸化膜とを反応させる処理を行い、その後、この反応により生成した反応生成物を加熱して分解除去することによりエッチングするガス処理方法であって、 前記シャワープレートを被処理体に対応して複数の領域に分け、複数の領域のいずれか1以上の領域のガス吐出孔を塞いで、HFガスおよび/またはNH3ガスの分布を制御する、ガス処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/302

FI (1件)：

H01L21/302 201A

Fターム (18件)：

5F004AA01 ,  5F004BA19 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA20 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004EA38