シリコン材料の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人共立
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-166609
公開番号（公開出願番号）：特開2016-041644
出願日： 2014年08月19日
公開日（公表日）： 2016年03月31日
要約：

【課題】3層構造のCaSi2を簡便な方法で6層構造のCaSi2とし、当該CaSi2を原料として用いたシリコン材料の製造方法を提供する。【解決手段】3層構造CaSi2を含むCaSi2を400°C以上で加熱し、次いで150°C/h以上の速度で冷却する6層構造CaSi2製造工程、前記工程を経たCaSi2を酸と反応させて層状シリコン化合物とする層状シリコン化合物製造工程、前記層状シリコン化合物を300°C以上で加熱しシリコン材料とするシリコン材料製造工程、を含むことを特徴とするシリコン材料の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

3層構造CaSi2を含むCaSi2を400°C以上で加熱し、次いで150°C/h以上の速度で冷却する6層構造CaSi2製造工程、前記工程を経たCaSi2を酸と反応させて層状シリコン化合物とする層状シリコン化合物製造工程、前記層状シリコン化合物を300°C以上で加熱しシリコン材料とするシリコン材料製造工程、を含むことを特徴とするシリコン材料の製造方法。

IPC (3件)：

C01B 33/021 , C01B 33/06 , H01M 4/38

FI (3件)：

C01B33/021 , C01B33/06 , H01M4/38 Z

Fターム (37件)：

4G072AA01 , 4G072AA03 , 4G072AA20 , 4G072BB05 , 4G072BB12 , 4G072BB13 , 4G072GG03 , 4G072HH02 , 4G072JJ14 , 4G072LL03 , 4G072LL06 , 4G072LL07 , 4G072MM03 , 4G072MM22 , 4G072MM23 , 4G072MM26 , 4G072MM31 , 4G072MM36 , 4G072RR01 , 4G072RR12 , 4G072RR15 , 4G072RR21 , 4G072TT30 , 4G072UU30 , 5H050AA08 , 5H050AA19 , 5H050BA16 , 5H050BA17 , 5H050CB08 , 5H050CB11 , 5H050CB29 , 5H050EA10 , 5H050EA23 , 5H050GA02 , 5H050GA14 , 5H050HA02 , 5H050HA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

負極活物質とその製造方法及び蓄電装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-033307 出願人：株式会社豊田自動織機
負極活物質とその製造方法及び蓄電装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-276721 出願人：株式会社豊田自動織機
蓄電デバイス用電極材料、蓄電デバイス用電極、蓄電デバイスおよび蓄電デバイス用電極材料の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-201071 出願人：株式会社豊田中央研究所

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