特許
J-GLOBAL ID：201603010334589745

半導体装置の製造方法

発明者：
白土 猛英

白土 猛英 について


出願人/特許権者：
白土 猛英

白土 猛英 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-133002
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258257
特許番号：特許第6022816号
出願日： 2012年06月12日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】単体元素からなる半導体基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜を選択的に開孔して、露出した前記半導体基板の一部上に前記半導体基板と同じものからなる縦(垂直)方向エピタキシャル半導体層を形成し、前記縦(垂直)方向エピタキシャル半導体層の一部側面から前記半導体基板と同じものからなる横(水平)方向エピタキシャル半導体層を前記絶縁膜の一部上に形成する半導体装置の製造方法であって、前記縦(垂直)方向エピタキシャル半導体層及び前記横(水平)方向エピタキシャル半導体層が、エピタキシャル成長される際、前記絶縁膜に接しないように、前記絶縁膜の側面あるいは上面に形成された、前記縦(垂直)方向エピタキシャル半導体層及び前記横(水平)方向エピタキシャル半導体層とは異なる単結晶構造の導電膜からなる単結晶半導体層成長補助膜を介してエピタキシャル成長されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01) ,  H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 27/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)
FI (8件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/76 E ,  H01L 27/12 E ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 653 B ,  H01L 29/78 653 D ,  H01L 29/78 658 E
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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