特許

J-GLOBAL ID：201603010487733110

Ge量子ドットの成長方法、Ge量子ドット複合材及びその応用

発明者： リー、チェンチュン ,  パイ、ピン ,  ヤン、シアオシア ,  ワン、シアオウェイ ,  シュイ、インイン ,  タイ、チン ,  チウ、シアオホイ
出願人/特許権者： ナショナル センター フォー ナノサイエンス アンド テクノロジー
代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-552980
公開番号（公開出願番号）：特表2016-519843
出願日： 2013年10月09日
公開日（公表日）： 2016年07月07日
要約：

【課題】本発明は層数が異なるグラフェンの界面にGe量子ドットを成長するGe量子ドットの成長方法に関する。【解決手段】本発明は一般的なベース表面に均一性が極めて高いグラフェン界面を導入し、界面においてGe量子ドットの成長を実現し、高品質の界面を得るための複雑な洗浄工程が不要になり、プロセスを簡略化させ、且つGe量子ドットの低マトリックス元素含有量と低欠陥率を確保するとともに、Ge量子ドットの自己組織化成長過程を確保し、形態と均一性に優れたGe量子ドットが形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Ge量子ドットの成長方法であって、層数が異なるグラフェン界面にGe量子ドットを成長することを特徴とするGe量子ドットの成長方法。

IPC (11件)：

H01L 31/035 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/06 ,  H01L 31/18 ,  H01L 31/039 ,  H01L 31/024 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 20/00 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/16

FI (11件)：

H01L31/04 342A ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00 112 ,  H01L31/04 420 ,  H01L31/04 284 ,  H01L31/08 G ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/06 601D ,  H01L29/16

Fターム (70件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01B ,  4G146AD17 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC23 ,  4G146BC34B ,  4G146BC37B ,  4G146CB11 ,  4G146CB19 ,  4G146CB28 ,  4G146CB34 ,  4G146CB39 ,  5F045AA05 ,  5F045AA19 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA13 ,  5F045HA02 ,  5F045HA16 ,  5F103AA04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG10 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL02 ,  5F103RR10 ,  5F151CB15 ,  5F151CB21 ,  5F151CB24 ,  5F151CB29 ,  5F151CB30 ,  5F151DA11 ,  5F151DA20 ,  5F151GA02 ,  5F151GA03 ,  5F151GA04 ,  5F151GA06 ,  5F241AA42 ,  5F241CA05 ,  5F241CA33 ,  5F241CA64 ,  5F241CA66 ,  5F241CA67 ,  5F241CA77 ,  5F849AB02 ,  5F849BA18 ,  5F849BA28 ,  5F849CB07 ,  5F849CB11 ,  5F849CB14 ,  5F849CB18 ,  5F849CB20 ,  5F849DA27 ,  5F849DA33 ,  5F849GA02 ,  5F849GA04 ,  5F849XB08 ,  5F849XB15 ,  5F849XB24

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電池に応用するためのナノ構造材料
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2012-511997   出願人：ナノシス・インク.
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-039816   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• ナノウイスカーとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-331407   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

審査官引用 (3件)

• 電池に応用するためのナノ構造材料
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2012-511997   出願人：ナノシス・インク.
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-039816   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• ナノウイスカーとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-331407   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Facile synthesis of germanium-graphene nanocomposites and their application as anode materials for l

審査官引用 (1件)

• Facile synthesis of germanium-graphene nanocomposites and their application as anode materials for l