特許
J-GLOBAL ID：201603010587042769

薄膜積層体

発明者：
芝田 大幹

芝田 大幹 について

, 
熊澤 和久

熊澤 和久 について

, 
木村 信夫

木村 信夫 について


出願人/特許権者：
日本曹達株式会社

日本曹達株式会社 について


代理人 (1件)： 廣田 雅紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-557403
特許番号：特許第5911182号
出願日： 2013年01月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】樹脂基体上に、第1層、第2層の順に形成された薄膜積層体において、 第1層が、 a)式(I) RnSiX4-n (I) (式中、RはSiに炭素原子が直接結合する有機基を表し、Xは水酸基又は加水分解性基を表す。nは1又は2を表し、nが2のとき各Rは同一でも異なっていてもよく、(4-n)が2以上のとき各Xは同一でも異なっていてもよい。)で表される有機ケイ素化合物の縮合物、及び b)有機高分子化合物 を含有する、膜厚500nm以上の有機無機複合薄膜であり、 第2層が、 a)ゾルゲル法により形成された膜厚200nm以下の金属酸化物薄膜であって、且つ下記式、 膜厚のばらつき [%] = 100×(膜厚の標準偏差)/(膜厚の平均値) で表される膜厚のばらつきが10%未満である金属酸化物薄膜であり、 且つ、第1層は第2層との界面側に式(I)で表される有機ケイ素化合物の縮合物が濃縮した層を有し、該濃縮層の炭素原子の濃度は、第1層と第2層との界面から300nmの深さの第1層の炭素原子の濃度に比べて20%以上少ないことを特徴とする薄膜積層体。
IPC (1件)：
B32B 9/00 ( 200 6.01)
FI (1件)：
B32B 9/00 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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