半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-028255
公開番号（公開出願番号）：特開2016-157934
出願日： 2016年02月17日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
要約：

【課題】オン電圧の低減を図りつつ、スイッチング制御性の低下を抑制するトレンチゲート型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜15は、トレンチ14のうちの、キャリアストレージ層13の不純物濃度が最も高くなるピーク位置よりもコレクタ層22側に位置する側面に形成された部分の厚さがピーク位置よりもトレンチ14の開口部側に位置する側面に形成された部分の厚さより厚くなるようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型のドリフト層(11)を有する半導体基板(10)と、前記ドリフト層上に形成された第2導電型のベース層(12)と、前記ドリフト層上に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第1導電型のキャリアストレージ層(13)と、前記ドリフト層のうちの前記ベース層側と反対側に形成された第2導電型のコレクタ層(22)と、前記ベース層および前記キャリアストレージ層を貫通して前記ドリフト層に達し、前記半導体基板の面方向における一方向に沿って形成された複数のトレンチ(14)と、前記トレンチの壁面に形成されたゲート絶縁膜(15)と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極(16)と、前記ベース層の表層部に形成され、前記トレンチと接する第1導電型のエミッタ領域(17)と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、前記トレンチのうちの、前記キャリアストレージ層の不純物濃度が最も高くなるピーク位置よりも前記コレクタ層側に位置する側面に形成された部分の少なくとも一部の厚さが、前記ピーク位置よりも前記トレンチの開口部側に位置する側面に形成された部分の厚さより厚くされている半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 21/28

FI (7件)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 655A , H01L29/78 652J , H01L29/78 653C , H01L29/78 652D , H01L29/78 655B , H01L21/28 301A

Fターム (9件)：

4M104BB01 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE09 , 4M104FF02 , 4M104FF27 , 4M104GG06

引用特許：

審査官引用 (4件)

絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-126292 出願人：株式会社デンソー, トヨタ自動車株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-145461 出願人：株式会社デンソー
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-080794 出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所

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