特許

J-GLOBAL ID：201603011113464430

半導体装置およびその製造方法

発明者： 川上 剛史 ,  陳 則 ,  西井 昭人 ,  増岡 史仁 ,  中村 勝光 ,  古川 彰彦 ,  村上 裕二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013062691
公開番号（公開出願番号）：WO2014-057700
出願日： 2013年05月01日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：

活性領域(12)の外周縁部から半導体基板(11)の外周縁部に向けて、活性領域(12)を囲繞するように電界緩和層(13)を形成する。電界緩和層(13)は、複数のP型不純物層(21〜25)を備える。各P型不純物層(21〜25)は、P型注入層(21a〜25a)と、P型注入層(21a〜25a)を囲繞するように形成され、P型注入層(21a〜25a)よりもP型不純物の濃度が低いP型拡散層(21b〜25b)とを備える。第1のP型注入層(21a)は、活性領域(12)に接するか、または一部分が重なって形成される。各P型拡散層(21b〜25b)は、第1のP型拡散層(21b)と第2のP型拡散層(22b)とが接するか、またはオーバーラップする程度の広がりを有するように形成される。P型注入層(21a〜25a)同士の間隔(s2〜s5)は、活性領域(12)から半導体基板(11)の外周縁部に向かうに従って大きくなる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板(11)と、 前記半導体基板(11)の厚み方向一方側の表面部内に、前記半導体基板(11)の外周縁部から離隔して形成される第2導電型の活性領域(12)と、 前記半導体基板(11)の厚み方向一方側の表面部内に、前記活性領域(12)の外周縁部から前記半導体基板(11)の外周縁部に向けて、前記活性領域(12)を囲繞するように環状に形成される電界緩和層(13,70,90,110,130,150)とを備え、 前記電界緩和層(13,70,90,110,130,150)は、 互いに間隔をあけて、前記活性領域(12)を囲繞するように形成され、第2導電型の不純物を含有する複数の高濃度不純物層(21a,22a,23a,24a,25a)と、 各前記高濃度不純物層(21a,22a,23a,24a,25a)を囲繞するように形成され、前記高濃度不純物層(21a,22a,23a,24a,25a)よりも低い濃度で前記第2導電型の不純物を含有する複数の低濃度不純物層(21b,22b,23b,24b,25b)とを備え、 前記高濃度不純物層(21a,22a,23a,24a,25a)のうち、前記電界緩和層(13,70,90,110,130,150)の径方向において最も内側に形成される最内側高濃度不純物層(21a)は、前記活性領域(12)に接するか、または一部分が重なって形成され、 前記最内側高濃度不純物層(21a)を囲繞する前記低濃度不純物層(21b)は、前記最内側高濃度不純物層(21a)よりも前記径方向の外側に形成される他の前記高濃度不純物層(22a,23a,24a,25a)を囲繞する前記低濃度不純物層(22b,23b,24b,25b)の少なくとも1つと繋がって形成され、 前記高濃度不純物層(21a,22a,23a,24a,25a)同士の間隔(s2,s3,s4,s5)は、前記活性領域(12)から前記半導体基板(11)の外周縁部に向かうに従って大きくなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47

FI (12件)：

H01L29/06 301G ,  H01L29/91 K ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 B ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/86 301E ,  H01L29/91 F ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/48 E

Fターム (7件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA10 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18