半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：森哲也 , 小西恵 , 田中秀▲てつ▼
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-035137
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172000
特許番号：特許第5941700号
出願日： 2012年02月21日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン基板と、該シリコン基板上に形成された酸化膜と、該酸化膜上に形成されたP型ポリシリコン抵抗及びN型ポリシリコン抵抗とを備え、前記P型ポリシリコン抵抗と前記N型ポリシリコン抵抗とが直列に接続されており、かつ前記P型ポリシリコン抵抗と前記N型ポリシリコン抵抗とが以下の関係式 (ここで、R(P)、R(N)は周辺との電位差が0Vの時のP型,N型ポリシリコン抵抗の抵抗値、l(P)、l(N)はP型,N型のポリシリコン抵抗の長さを示す) を満たすことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：