半導体基板の金属汚染評価方法および半導体基板の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-206482
公開番号（公開出願番号）：特開2014-063785
特許番号：特許第6003447号
出願日： 2012年09月20日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の金属汚染評価方法であって、評価対象の半導体基板の一方の表面に半導体接合を形成し、他方の表面にオーミック層を形成することによりダイオードを作製すること、作製したダイオードのDLTS測定を行うこと、測定結果に基づき評価対象の半導体基板の金属汚染の有無、金属汚染の程度、または金属汚染の有無および程度を評価すること、を含み、評価対象の半導体基板は、エピタキシャルウェーハまたはアニールウェーハもしくはその一部であり、ダイオードの作製前に、下記処理1を施すことを特徴とする、前記評価方法。処理1:サーマルドナーを形成または活性化する条件で行う熱処理。

IPC (1件)：