特許
J-GLOBAL ID：201603011596455908
積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
中山 亨
, 坂元 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-199906
公開番号（公開出願番号）：特開2016-068383
出願日： 2014年09月30日
公開日（公表日）： 2016年05月09日
要約：
【課題】高温での使用環境下においても高い密着性を有する、ガスバリア性の積層フィルムを提供する。【解決手段】可とう性基材と、前記基材の少なくとも片面に接して設けられた有機層と、前記有機層上に接して設けられた薄膜層とを有し、前記有機層がアクリレート樹脂を含有し、前記薄膜層がSi、OおよびCを含有し、前記薄膜層の珪素分布曲線、酸素分布曲線および炭素分布曲線において、下記の条件(i)〜(iii)を全て満たす積層フィルム。(i)Siの原子数比、Oの原子数比及びCの原子数比が、前記薄膜層の膜厚方向における90%以上の領域において、Oの原子数比>Siの原子数比>Cの原子数比である(ii)前記炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有する(iii)前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値および最小値の差の絶対値が0.05以上である【選択図】図1
請求項（抜粋）：
可とう性基材と、前記基材の少なくとも片面に接して設けられた有機層と、前記有機層上に接して設けられた薄膜層とを有し、
前記有機層がアクリレート樹脂を含有し、
前記薄膜層が珪素原子、酸素原子および炭素原子を含有し、
前記薄膜層の膜厚方向における、前記薄膜層の表面からの距離と、前記距離に位置する点の前記薄膜層に含まれる珪素原子、酸素原子および炭素原子の合計数に対する珪素原子数の比率(珪素の原子数比)、酸素原子数の比率(酸素の原子数比)、炭素原子数の比率(炭素の原子数比)との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線および炭素分布曲線において、下記の条件(i)〜(iii):
(i)珪素の原子数比、酸素の原子数比および炭素の原子数比が、前記薄膜層の膜厚方向における90%以上の領域において、下記式(1)で表される条件を満たすこと、
(酸素の原子数比)>(珪素の原子数比)>(炭素の原子数比)・・・(1)
(ii)前記炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有すること、
(iii)前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値および最小値の差の絶対値が0.05以上であること
を全て満たす積層フィルム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
4F100AH06C
, 4F100AK25B
, 4F100AK42
, 4F100AT00A
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100CA23B
, 4F100EH46
, 4F100EH66
, 4F100EJ54
, 4F100GB41
, 4F100JD02
, 4F100JD10C
, 4F100JK17A
, 4F100JL11
, 4F100JM02C
, 4F100YY00B
, 4F100YY00C
