特許

J-GLOBAL ID：201603011791396983

ナノゼオライトの製造方法

発明者： 上野 巌 ,  小杉 直貴
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 小笠原特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-034014
公開番号（公開出願番号）：特開2016-069266
出願日： 2015年02月24日
公開日（公表日）： 2016年05月09日
要約：

【課題】より吸湿特性に優れたナノゼオライトの製造方法を提供する。【解決手段】表面におけるNa/Si値に対する該表面からの深さが10nmの地点のNa/Si値の割合が90%以上であるゼオライトを物理粉砕するステップと、前記物理粉砕したゼオライトを結晶化させるステップとを有し、特に、前記物理粉砕に供するゼオライトは、表面におけるNa/Si値に対する該表面からの深さが30nmの地点のNa/Si値の割合が70%以上である、ナノゼオライトの製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面におけるNa/Si値に対する、該表面からの深さが10nmの地点のNa/Si値の割合が90%以上であるゼオライトを、物理粉砕するステップと、 前記物理粉砕したゼオライトを、結晶化させるステップと を有する、ナノゼオライトの製造方法。

IPC (3件)：

C01B 39/46 ,  B01J 20/18 ,  B01J 20/30

FI (3件)：

C01B39/46 ,  B01J20/18 B ,  B01J20/30

Fターム (26件)：

4G066AA61B ,  4G066BA31 ,  4G066BA38 ,  4G066FA14 ,  4G066FA33 ,  4G066FA40 ,  4G073BA10 ,  4G073BA63 ,  4G073BD01 ,  4G073BD21 ,  4G073CZ41 ,  4G073FA12 ,  4G073FB30 ,  4G073FC03 ,  4G073FD02 ,  4G073FD08 ,  4G073FD20 ,  4G073FD21 ,  4G073FD25 ,  4G073GA01 ,  4G073GA03 ,  4G073GA08 ,  4G073GA11 ,  4G073GB02 ,  4G073GB03 ,  4G073UA06