特許
J-GLOBAL ID：201603011808143430
半導体装置用炭化珪素基板および半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-233277
公開番号（公開出願番号）：特開2016-121059
出願日： 2015年11月30日
公開日（公表日）： 2016年07月07日
要約：
【課題】逆方向リーク電流を小さくすることができる炭化珪素基板および半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素基板(80)の主面(M80)は六方晶の{0001}面からオフ方向においてオフ角だけ傾斜している。六方晶炭化珪素のバンドギャップよりも高いエネルギーを有する励起光(LE)による主面(M80)の650nm超の波長を有するフォトルミネッセンス光(LL)の発光領域のうち、15μm以下の寸法をオフ方向に垂直な方向に有するものであり、かつ励起光(LL)の六方晶炭化珪素への侵入長をオフ角の正接で除した値以下の寸法をオフ方向に平行な方向に有するものの個数が1cm2当たり1×104以下となるような特性を主面(M80)が有する。これにより逆方向リーク電流を小さくすることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ベース基板と、
前記ベース基板上にエピタキシャルに形成された六方晶の炭化珪素層を備え、
前記炭化珪素層は、側面と、
前記側面に取り囲まれた主面とを有し、
前記主面は前記六方晶の{0001}面からオフ方向においてオフ角だけ傾斜しており、
六方晶炭化珪素のバンドギャップよりも高いエネルギーを有する励起光(LE)による前記主面の650nm超の波長を有するフォトルミネッセンス光(LL)の発光領域のうち、15μm以下の寸法を前記オフ方向に垂直な方向に有するものであり、かつ前記励起光の六方晶炭化珪素への侵入長を前記オフ角の正接で除した値以下の寸法を前記オフ方向に平行な方向に有するものの個数が1cm2当たり1×104以下となるような特性を前記主面が有する、半導体装置用炭化珪素基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077AB04
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077GA06
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA04
, 5F045AB06
, 5F045BB16
, 5F045CA05
, 5F045DA53
