特許

J-GLOBAL ID：201603011882542770

磁気多層膜及びトンネル磁気抵抗素子

発明者： 湯浅 新治 ,  野崎 隆行
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (2件)： 永井 冬紀 ,  渡辺 隆男
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013072812
公開番号（公開出願番号）：WO2014-034639
出願日： 2013年08月27日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：

磁気多層膜は、基板側から順に、(001)結晶面が優先配向した単結晶又は多結晶の酸化マグネシウムを含む非磁性体層、極めて薄い3d遷移金属元素を含む酸化物層及び極めて薄い強磁性体層からなる。

請求項（抜粋）：

基板側から順に、(001)結晶面が優先配向した単結晶又は多結晶の酸化マグネシウムを含む非磁性体層、極めて薄い3d遷移金属元素を含む酸化物層及び極めて薄い強磁性体層からなる磁気多層膜。

IPC (6件)：

H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/16

FI (5件)：

H01L43/10 ,  H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/30 ,  H01F10/16

Fターム (36件)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD17 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5E049GC01 ,  5E049HC03 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AB10 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB25 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB45 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BE02 ,  5F092BE03 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27