特許
J-GLOBAL ID：201603011902968523
放電補助式レーザ孔加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-104856
公開番号（公開出願番号）：特開2016-135491
出願日： 2013年05月17日
公開日（公表日）： 2016年07月28日
要約：
【課題】貫通孔にネッキングおよび/またはクラックが生じ難い、放電補助式レーザ孔加工方法。【解決手段】第1の電極の先端は、前記絶縁基板の表面から0.1mm以上の距離であって、前記絶縁基板上のレーザ光の照射スポットの中心から、第1の方向に0.2mm以上ずれた位置に配置され、絶縁基板上に既に形成されている貫通孔を既貫通孔と称し、該既貫通孔が形成されている位置を既貫通孔形成位置と称し、絶縁基板上の次に貫通孔を形成する位置を対象貫通孔形成位置と称したとき、ある既貫通孔から、前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って、0.5mm以下の距離の位置を対象貫通孔形成位置とし、該対象貫通孔形成位置にレーザ光を照射した後、電極間放電を実施するとき、前記第1の電極の先端は、既貫通孔の位置よりも前記対象貫通孔形成位置に近い位置にあることを特徴とする放電補助式レーザ孔加工方法。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
レーザ光照射によって絶縁基板に複数の貫通孔を形成し、第1および第2の電極間での放電現象により前記貫通孔の形状を調整する、放電補助式レーザ孔加工方法であって、
第1の電極の先端は、前記絶縁基板の表面から0.1mm以上の距離であって、前記絶縁基板上のレーザ光の照射スポットの中心から、第1の方向に0.2mm以上ずれた位置に配置され、
絶縁基板上に既に形成されている貫通孔を既貫通孔と称し、該既貫通孔が形成されている位置を既貫通孔形成位置と称し、絶縁基板上の次に貫通孔を形成する位置を対象貫通孔形成位置と称したとき、
ある既貫通孔から、前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って、0.5mm以下の距離の位置を対象貫通孔形成位置とし、該対象貫通孔形成位置にレーザ光を照射した後、電極間放電を実施するとき、前記第1の電極の先端は、既貫通孔の位置よりも前記対象貫通孔形成位置に近い位置にあることを特徴とする放電補助式レーザ孔加工方法。
IPC (3件)：
B23K 26/382
, B23H 7/38
, B23H 9/14
B23K26/38 330
, B23H7/38 Z
, B23H9/14
3C059AA01
, 3C059AB03
, 3C059DA03
, 3C059HA14
, 4E068AA01
, 4E068AF01
, 4E068AF02
, 4E068AJ04
, 4E068CA02
, 4E068DA09
, 4E068DB13
