半導体基板用パッシベーション膜形成用材料、半導体基板用パッシベーション膜を有する半導体基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人太陽国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-555147
特許番号：特許第5971260号
出願日： 2012年12月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】酸性基を有する化合物を含み、前記酸性基を有する化合物は、ポリパーフルオロオレフィンスルホン酸誘導体、スルホン化ポリスチレン誘導体、スルホン化ポリアリールエーテルスルホン、ポリリン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸、リンバナドモリブデン酸及びリンモリブデン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、半導体基板用パッシベーション膜形成用材料。

IPC (2件)：