基板搬送装置及び当該基板搬送装置を用いた半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：西村竜平 , 佐藤明子 , 齊藤真大
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-040458
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175670
特許番号：特許第5903930号
出願日： 2012年02月27日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】所定の真空度に保たれている真空室と、外部との間で基板の搬出入を行うための真空予備室との境界開口を気密に閉塞する閉塞位置と前記境界開口を開放する前記真空室内の開放位置との間を移動可能に構成された基板搬送台と、前記真空室及び前記真空予備室の外部に設けられたものであって、互いに枢結された複数のリンク要素からなるトグルリンクを具備し、前記トグルリンクを屈伸させることによって出力端を進退させるトグルリンク機構と、前記真空室又は前記真空予備室を形成する壁体を貫通して前記基板搬送台と前記トグルリンク機構の出力端との間に介在し、前記出力端の進退動作を前記基板搬送台に伝達する1又は複数のロッドとを備え、前記ロッドと前記壁体との間を気密に密閉するシール構造が設けられており、前記ロッドが複数設けられ、前記トグルリンク機構の出力端とともに進退するように構成されており、前記ロッドの進退方向から視て前記トグルリンク機構が、各ロッドの内側に設けられていることを特徴とする基板搬送装置。

IPC (3件)：

H01L 21/677 ( 200 6.01) , C23C 14/50 ( 200 6.01) , H01J 37/317 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/68 A , C23C 14/50 K , H01J 37/317 B

引用特許：

出願人引用 (5件)

イオンドーピング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-162872 出願人：東洋機械金属株式会社
真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-112398 出願人：日新電機株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-271435 出願人：日新電機株式会社

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審査官引用 (5件)

イオンドーピング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-162872 出願人：東洋機械金属株式会社
真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-112398 出願人：日新電機株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-271435 出願人：日新電機株式会社

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