特許

J-GLOBAL ID：201603012014291040

炭化珪素単結晶インゴットおよび炭化珪素単結晶基板

発明者： 牧野 英美
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-233548
公開番号（公開出願番号）：特開2016-098120
出願日： 2014年11月18日
公開日（公表日）： 2016年05月30日
要約：

【課題】低欠陥で高品質かつ低抵抗なSiC単結晶インゴットおよびSiC単結晶基板を提供する。【解決手段】SiC単結晶インゴットもしくはSiC単結晶基板を構成するSiC単結晶に含まれる金属不純物の残留不純物濃度が1×1014cm-3以下で、残留不純物濃度Rに対するSiC単結晶中のドーパント濃度Dの比であるドーパント濃度D/残留不純物濃度Rが1×104以上かつ1×107以下となるようにする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

SiC単結晶(20)によって構成され、該SiC単結晶に含まれる金属不純物の残留不純物濃度が1×1014cm-3以下で、前記残留不純物濃度Rに対する前記SiC単結晶中のドーパント濃度Dの比であるドーパント濃度D/残留不純物濃度Rが1×104以上かつ1×107以下とされていることを特徴とするSiC単結晶インゴット。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EB06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04