特許
J-GLOBAL ID：201603012141002529
分散した発光を有する有機発光電界効果アンバイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
村山 靖彦
, 志賀 正武
, 渡邊 隆
, 実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-558244
特許番号：特許第6025874号
出願日： 2013年02月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 エレクトロルミネッセント有機電界効果アンバイポーラトランジスタであって、
・ゲート電極と、
・前記ゲート電極上に配される誘電体層と、
・エネルギーバンドが最高被占分子軌道HOMO-SCp及び最低空分子軌道LUMO-SCpによって決定されるP型半導体層、エネルギーバンドが最高被占分子軌道HOMO-SCn及び最低空分子軌道LUMO-SCnによって決定されるN型半導体層(SCn)、並びに逆符号の電荷キャリアの再結合を可能にするように適合され、前記P型半導体層及び前記N型半導体層の中間に配される発光層を備え、前記発光層は代替的にエネルギーバンドが最高被占分子軌道HOMO-R及び最低空分子軌道LUMO-Rによって決定される単一の材料、または一つのホスト材料及び一つ以上のゲスト材料から構成されるホストーゲスト系から構成され、前記ホスト材料はエネルギーバンドが最高被占分子軌道HOMO-H及び最低空分子軌道LUMO-Hによって決定され、一つまたは複数の前記ゲスト材料は各エネルギーバンドが最高被占分子軌道HOMO-G及び最低空分子軌道LUMO-Gによってそれぞれ決定される、前記誘電体層上に配されるアンバイポーラチャンネルと、
・第一型の電荷を注入するのに適合されたソース電極及び第二型の電荷を注入するのに適合されたドレイン電極と、を備える積層された層の構造を有し、
・前記ソース電極及びドレイン電極は、前記P型半導体層または前記N型半導体層の上層と接触し、前記P型半導体層または前記N型半導体層の底層は前記誘電体層と接触し、
・前記P型半導体層または前記N型半導体層の前記上層及び前記発光層の界面における実行的な電界効果移動度の値と、前記P型半導体層または前記N型半導体層の前記底層及び前記誘電体層の界面における実行的な電界効果移動度の値との比が0.05から20の範囲内であり;
・前記P型半導体層が前記誘電体層と接触し、前記発光層が単一の材料から構成される場合には:
-HOMO-RレベルとHOMO-SCnレベルの差は0.2eVから1eVであり、
-LUMO-RレベルとLUMO-SCnレベルの差は0.2eVから0.8eVであり、
-HOMO-RレベルとHOMO-SCpレベルの差は0eVから0.5eVであり、
-LUMO-RレベルとLUMO-SCpレベルの差は-1eVから0eVであり;
・前記N型半導体層が前記誘電体層と接触し、前記発光層が単一の材料から構成される場合には:
-HOMO-RレベルとHOMO-SCnレベルの差は0eVから1eVであり、
-LUMO-RレベルとLUMO-SCnレベルの差は-0.5eVから0eVであり、
-HOMO-RレベルとHOMO-SCpレベルの差は-0.2eVから-0.8eVであり、
-LUMO-RレベルとLUMO-SCpレベルの差は-0.2eVから-1eVであり;
・前記P型半導体層が前記誘電体層と接触し、前記発光層がホスト-ゲスト系から構成される場合には:
-HOMO-HレベルとHOMO-SCnレベルの差は0.2eVから1eVであり、
-LUMO-HレベルとLUMO-SCnレベルの差は0.2eVから3eVであり、
-HOMO-HレベルとHOMO-SCpレベルの差は0eVから0.5eVであり、
-LUMO-HレベルとLUMO-SCpレベルの差は-1eVから3eVであり、
全てのゲスト材料に対して:
-LUMO-GレベルとLUMO-SCnレベルの差は0.3eVから-1eVであり、
-HOMO-GレベルとHOMO-Hレベルの差は0eVから1eVであり;
・前記N型半導体層が前記誘電体層と接触し、前記発光層がホスト-ゲスト系から構成される場合には:
-HOMO-HレベルとHOMO-SCnレベルの差は-3eVから1eVであり、
-LUMO-HレベルとLUMO-SCnレベルの差は-0.5eVから0eVであり、
-HOMO-HレベルとHOMO-SCpレベルの差は-0.2eVから-3eVであり、
-LUMO-HレベルとLUMO-SCpレベルの差は-0.2eVから-1eVであり、
全てのゲスト材料に対して:
-HOMO-GレベルとHOMO-SCpレベルの差は-0.3eVから1eVであり、
-LUMO-GレベルとLUMO-Hレベルの差は0eVから-1eVであることを特徴とするトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
H05B 33/14 A
, H05B 33/22 B
, H05B 33/22 D
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28 100 A
