特許

J-GLOBAL ID：201603012156186030

亜鉛を含有する非晶質炭素膜の製造方法

発明者： 中森 秀樹 ,  平塚 傑工 ,  平栗 健二 ,  大越 康晴 ,  本田 宏志 ,  馬目 佳信
出願人/特許権者： ナノテック株式会社 ,  学校法人東京電機大学 ,  株式会社ニチオン
代理人 (2件)： 奥原 康司 ,  関本 澄人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-165304
公開番号（公開出願番号）：特開2016-047962
出願日： 2015年08月24日
公開日（公表日）： 2016年04月07日
要約：

【課題】1)機械的強度及び適切な弾性特性、2)表面硬度及び摺動性、3)骨組織との結合機能、4)骨組織自身の回復促進機能、5)菌の増殖を抑える抗菌特性、を備えたインプラント用材料の提供。【解決手段】真空炉内に、被加工材を保持する基板と、基板に対向配置される亜鉛ターゲット基板を設置し、真空炉内への所定量の希ガス導入下で、両基板間に、基板電圧印加手段により、所定のパルス幅を有する高出力インパルス電圧からなるスパッタ電圧を印加することで、亜鉛ターゲット基板でのスパッタリングを行い、該真空炉内へ所定量の希ガス及び炭化水素系原料ガスを導入しつつ、両基板間に、所定のパルス幅を有する高出力インパルス電圧からなる電圧を印加することで、前記基板に保持された被加工材の表面に、所望の亜鉛量を含有する非晶質炭素膜を成膜されるインプラント用材料。前記パルス幅が500〜1000μsec未満である非晶質炭素膜の成膜方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空炉内に、被加工材を保持する基板と、該基板に対向配置される亜鉛ターゲット基板を設置し、 該真空炉内への所定量の希ガス導入下で、両基板間に、基板電圧印加手段により、所定のパルス幅を有する高出力インパルス電圧からなるスパッタ電圧を印加することで、亜鉛ターゲット基板でのスパッタリングを行い、 該真空炉内へ所定量の希ガス及び炭化水素系原料ガスを導入しつつ、両基板間に、所定のパルス幅を有する高出力インパルス電圧からなる電圧を印加することで、前記基板に保持された被加工材の表面に、所望の亜鉛量を含有する非晶質炭素膜を成膜する方法。

IPC (5件)：

C23C 16/27 ,  C23C 14/06 ,  A61K 6/027 ,  A61L 27/00 ,  A61C 8/00

FI (5件)：

C23C16/27 ,  C23C14/06 B ,  A61K6/027 ,  A61L27/00 F ,  A61C8/00 Z

Fターム (32件)：

4C081AB02 ,  4C081AB06 ,  4C081BA12 ,  4C081BB06 ,  4C081BB08 ,  4C081CF162 ,  4C081CF21 ,  4C089AA06 ,  4C089AA07 ,  4C089BA20 ,  4C159AA24 ,  4C159AA26 ,  4K029AA02 ,  4K029BA18 ,  4K029BA34 ,  4K029BA55 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC33 ,  4K029DC34 ,  4K030AA09 ,  4K030BA21 ,  4K030BA28 ,  4K030BA36 ,  4K030BB13 ,  4K030CA02 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• インプラント、その製造方法及び骨代謝の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-142422   出願人：国立大学法人広島大学, トーヨーエイテック株式会社