特許
J-GLOBAL ID:201603012463000831
露光方法および露光装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
片山 修平
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-136121
公開番号(公開出願番号):特開2014-003088
特許番号:特許第6003272号
出願日: 2012年06月15日
公開日(公表日): 2014年01月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 複数のチップパターンが配列されたショットパターンと、前記複数のチップパターン間にそれぞれに備えられたモニタパターンが形成された第1スクライブパターンと前記モニタパターンが形成されていない第2スクライブパターンとを含むスクライブパターンであって、前記ショットパターンの一方の外縁辺の端部から他方の外縁辺の端部まで前記ショットパターン内部の同一の方向に前記第2スクライブパターンを有する前記スクライブパターンとを備えるフォトマスクを用い、ウエハに複数の前記ショットパターンを第1パターンとして露光し、
前記ショットパターンの第1領域が前記第1パターンと重なり、前記ショットパターンの前記第1領域以外の第2領域が前記第1パターン外となり、前記第1領域と前記第2領域の境界が前記第2スクライブパターンとなり、前記第1パターンと前記第2領域とに前記複数のチップパターンが連続して配列するように前記フォトマスクを前記ウエハに対し位置合わせし、
前記フォトマスクを前記ウエハに対し位置合わせした状態において、前記ウエハとのフォーカス調整を行ない、
前記第1領域を遮光して、前記第2領域のパターンを前記ウエハに第2パターンとして露光することを特徴とする露光方法。
IPC (4件):
G03F 7/20 ( 200 6.01)
, G03F 9/02 ( 200 6.01)
, G03F 1/42 ( 201 2.01)
, G03F 1/44 ( 201 2.01)
FI (4件):
G03F 7/20 521
, G03F 9/02
, G03F 1/42
, G03F 1/44
引用特許:
出願人引用 (3件)
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-298744
出願人:セイコーインスツル株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-258227
出願人:株式会社日立製作所
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半導体ウェハおよびレチクル
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-234243
出願人:セイコーエプソン株式会社
審査官引用 (3件)
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-298744
出願人:セイコーインスツル株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-258227
出願人:株式会社日立製作所
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半導体ウェハおよびレチクル
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-234243
出願人:セイコーエプソン株式会社
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