特許
J-GLOBAL ID：201603012484398509

半導体不揮発性メモリ装置

発明者：
鷹巣 博昭

鷹巣 博昭 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツル株式会社

セイコーインスツル株式会社 について


代理人 (3件)： 久原 健太郎 ,  内野 則彰 ,  木村 信行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-036674
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172097
特許番号：特許第5859873号
出願日： 2012年02月22日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体表面領域の表面に、互いに間隔を置いて設けられた第2導電型のソース領域およびドレイン領域と、 前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体領域表面であるチャネル形成領域と、 前記ソース領域と前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、 前記フローティングゲート電極とコントロール絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極と、 前記ドレイン領域内のトンネル領域と前記フローティングゲート電極領域との間に設けられたトンネル絶縁膜と、 を有し、 前記フローティングゲート電極は、アモルファスシリコン領域とポリシリコン領域とからなり、 前記アモルファスシリコン領域は、前記ポリシリコン領域の下面に配置されているとともに、前記トンネル絶縁膜を覆う形状で前記トンネル領域近傍にのみ局所的に形成されている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。
IPC (9件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  G11C 16/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 622 Z ,  G11C 17/00 621 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/58 G ,  H01L 21/28 301 A
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 特開昭63-156361
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-317887   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平2-114568
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審査官引用 (6件)
  • 特開昭63-156361
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-317887   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平2-114568
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