特許
J-GLOBAL ID:201603012632274334

複合フェライト組成物および電子部品

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田・鈴木国際特許業務法人
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-051094
特許番号:特許第5999278号
出願日: 2016年03月15日
要約:
【課題】焼結性に優れ、高透磁率および低誘電率であり、透磁率の周波数特性および強度に優れた複合フェライト組成物と、前記複合フェライト組成物を適用した電子部品の提供。 【解決手段】磁性体材料と非磁性体材料とを含有し、前記磁性体材料はNi-Cu-Zn系フェライトであり、前記非磁性体材料は、一般式a(bZnO・cCuO)・SiO2で表され、前記一般式中のa、bおよびcが、a=1.5〜2.4、b=0.85〜0.98、c=0.02〜0.15(ただし、b+c=1.00)を満足する低誘電率非磁性体材料と、酸化ビスマスと、を含有し、前記磁性体材料と、前記低誘電率非磁性体材料との混合比率が、80重量%:20重量%〜10重量%:90重量%である複合フェライト組成物。 【選択図】図1
請求項(抜粋):
【請求項1】 磁性体材料と非磁性体材料とを含有する複合フェライト組成物であって、 前記磁性体材料はNi-Cu-Zn系フェライトであり、 前記非磁性体材料は、 一般式a(bZnO・cCuO)・SiO2 で表され、前記一般式中のa、bおよびcが、a=1.5〜2.4、b=0.85〜0.98、c=0.02〜0.15(ただし、b+c=1.00)を満足する低誘電率非磁性体材料と、 酸化ビスマスと、を含有し、 前記磁性体材料と、前記低誘電率非磁性体材料との混合比率が、80重量%:20重量%〜10重量%:90重量%であり、 前記磁性体材料と前記低誘電率非磁性体材料との合計を100重量部とする場合に、前記酸化ビスマスをBi2O3換算で0.5〜8.0重量部含有し、 ホウ珪酸ガラスの含有量が0.5重量部以下である複合フェライト組成物。
IPC (2件):
C04B 35/30 ( 200 6.01) ,  H01F 1/34 ( 200 6.01)
FI (2件):
C04B 35/30 C ,  H01F 1/34 A
引用特許:
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る