特許
J-GLOBAL ID:201603012729912343
物理量センサ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
井上 学
, 戸田 裕二
, 岩崎 重美
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-274204
公開番号(公開出願番号):特開2014-119330
特許番号:特許第6018903号
出願日: 2012年12月17日
公開日(公表日): 2014年06月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】 検出部を具備する半導体チップと、
前記半導体チップが実装されるフレームと、
前記半導体チップと前記フレームとを封止し、前記検出部を外部に露出させる開口部を具備するモールド樹脂部と、
前記モールド樹脂部のうち前記開口部の端部と、前記検出部に形成される配線層との間に設けられ、前記端部からの応力を吸収する金属材料を含む応力吸収層と、を有することを特徴とする物理量センサ。
IPC (1件):
FI (2件):
G01F 1/692 B
, G01F 1/692 A
引用特許:
出願人引用 (4件)
-
半導体イオンセンサとその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-359950
出願人:松下電工株式会社
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半導体部品
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-215977
出願人:株式会社デンソー
-
熱式センサおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-066964
出願人:日立オートモティブシステムズ株式会社
-
電子部品
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-293821
出願人:NECエレクトロニクス株式会社, 日本電気真空硝子株式会社
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