半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-012208
公開番号（公開出願番号）：特開2014-143353
特許番号：特許第5978141号
出願日： 2013年01月25日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板を処理するプラズマの或る1つまたは複数の波長の発光強度を、該半導体基板の面内の複数の位置に対応するように該半導体基板の上方から検出する複数のローカル光センサと、前記プラズマの発光強度に応じた発光データを前記複数のローカル光センサから連続的または断続的に受け取り、複数の位置のうち第1の位置における発光データの時間的変化と第2の位置における発光データの時間的変化との差に基づいて異常放電を判断する演算処理部とを備えた半導体製造装置。

IPC (3件)：