特許
J-GLOBAL ID：201603012781530467
欠陥検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-051188
公開番号（公開出願番号）：特開2014-179395
特許番号：特許第6032072号
出願日： 2013年03月14日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 エピタキシャル層を有する半導体ウェーハにレーザー光を照射して該半導体ウェーハの内部に侵入させ、その反射光又は散乱光の強度に基づいて前記半導体ウェーハ内部の欠陥を検出する方法であって、
前記エピタキシャル層の厚さを変更する厚さ変更工程と、
該厚さ変更工程の前後で前記半導体ウェーハのエピタキシャル層を形成した面に対してレーザー光を照射して前記レーザー光の侵入深さ領域における面内の欠陥分布を検出する面内欠陥分布検出工程と、
該厚さ変更工程の前後で検出した面内の欠陥分布の差分を求めることで、それらの侵入深さ領域の差分領域における欠陥密度を検出する工程を有することを特徴とする欠陥検出方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01N 21/956 ( 200 6.01)
H01L 21/66 N
, G01N 21/956 A
