特許

J-GLOBAL ID：201603012805377177

ウェーハの処理方法

発明者： 淀 良彰
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (5件)： 青木 宏義 ,  天田 昌行 ,  岡田 喜雅 ,  菅野 亨 ,  溝口 勉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-141672
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007271
特許番号：特許第5918639号
出願日： 2012年06月25日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 表面に複数の分割予定ラインに区画され複数のデバイスが形成されたウェーハの裏面にダイボンディング用の接着剤被膜を形成するウェーハの処理方法であって、 保護テープで保護された前記ウェーハの表面側を保持テーブルに保持し、少なくとも前記分割予定ラインに対応する裏面に外的刺激により硬化する液状樹脂を塗布し、外的刺激を加えて前記液状樹脂を硬化することで複数のデバイス以外の箇所にマスキング部材を形成するマスク形成工程と、 前記マスク形成工程を実施した後に、マスクが形成されていない複数のデバイスの裏面にダイボンディング用の液状接着剤を均一な厚みで塗布し、ウェーハの複数のデバイスの裏面を接着剤被膜で被覆する接着剤塗布工程と、 前記接着剤塗布工程を実施した後、接着剤被膜を硬化させる接着剤被膜硬化工程と、 前記接着剤被膜硬化工程を実施した後、前記マスキング部材をウェーハ裏面から剥離するマスク除去工程と、から構成されるウェーハの処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/52 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/52 E

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-063771   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 半導体ウェハ及び半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-247011   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-328582   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社