特許

J-GLOBAL ID：201603012899733966

物質導入方法およびその装置

発明者： 河野 晋 ,  冨永 伸明 ,  山口 明美
出願人/特許権者： 独立行政法人国立高等専門学校機構
代理人 (1件)： 平井 安雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-243553
公開番号（公開出願番号）：特開2016-106526
出願日： 2014年12月01日
公開日（公表日）： 2016年06月20日
要約：

【課題】電気穿孔法を用いて、電気的ダメージを抑制して導入物質を対象細胞に導入する物質導入方法を提供する。【解決手段】対象細胞の内部に導入物質を導入する物質導入方法は、正負に極性が変化する間に一定電位値レベルを所定時間維持してなる非対称の基準パルスが同一周期で繰り返されるバーストパルスを、導入物質を含有する溶液中に浸漬された対象細胞に対して、印加するバーストパルス印加工程と、前記バーストパルス印加工程による印加後、前記対象細胞に対して、前記バーストパルスを構成する基準パルスよりも高電圧且つ短時間の高電圧パルスを、1オン時間分印加する高電圧パルス印加工程とを含み、電気的ダメージを抑制して導入物質を対象細胞に導入する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

対象細胞の内部に導入物質を導入する物質導入方法において、 正負に極性が変化する間に一定電位値レベルを所定時間維持してなる非対称の基準パルスが同一周期で繰り返されるバーストパルスを、導入物質を含有する溶液中に浸漬された対象細胞に対して、印加するバーストパルス印加工程と、 前記バーストパルス印加工程による印加後、前記対象細胞に対して、前記バーストパルスを構成する基準パルスよりも高電圧且つ短時間の高電圧パルスを、1オン時間分印加する高電圧パルス印加工程とを含むことを特徴とする 物質導入方法。

IPC (3件)：

C12N 15/09 ,  C12M 1/00 ,  C12M 1/42

FI (3件)：

C12N15/00 A ,  C12M1/00 A ,  C12M1/42

Fターム (21件)：

4B024AA11 ,  4B024AA20 ,  4B024CA01 ,  4B024CA11 ,  4B024DA02 ,  4B024DA20 ,  4B024GA11 ,  4B024GA14 ,  4B024HA11 ,  4B029AA24 ,  4B029BB11 ,  4B029BB12 ,  4B029DG10 ,  4B029FA15 ,  4B029HA10 ,  4B065AA87X ,  4B065AB01 ,  4B065BA01 ,  4B065BA03 ,  4B065BD50 ,  4B065CA46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• エレクロトポレーター用電源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-069077   出願人：森泉俊幸
• 特許第6011873号
  
• 経皮導入方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-220859   出願人：株式会社愛和

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Incorporation material into medake (Oryzias latipes) eggs by asymmetric burst pulses.
• A novel material incorporation technique for medaka (Oryzias latipes) eggs using nanosecond pulsed e