特許
J-GLOBAL ID：201603012972962197
ナノインプリント用テンプレートの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
藤枡 裕実
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 後藤 直樹
, 伊藤 裕介
, 立石 英之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-255490
公開番号（公開出願番号）：特開2014-103323
特許番号：特許第6003571号
出願日： 2012年11月21日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光透過性基板に転写パターンを有するナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、
前記光透過性基板の上に形成された第1のハードマスク層形成用材料膜の上に、第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンから露出する前記第1のハードマスク層形成用材料膜をエッチングにより除去して、第1のハードマスク層形成用材料膜パターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンを除去する工程と、
前記光透過性基板の上、および、前記第1のハードマスク層形成用材料膜パターンの上に、前記第1のハードマスク層形成用材料膜と同じ材料から構成される第2のハードマスク層形成用材料膜を形成して、厚膜パターン部と、前記厚膜パターン部よりも膜厚が薄い薄膜部を有するハードマスク層を形成する工程と、
前記ハードマスク層の上に、第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンの上面および側面、並びに、前記第2のレジストパターンから露出する前記ハードマスク層の表面を覆う原子層堆積膜を形成する工程と、
前記原子層堆積膜をエッチバックして、前記第2のレジストパターンの側面に形成した前記原子層堆積膜を残しつつ、前記第2のレジストパターンの上面および前記ハードマスク層の表面を露出させる工程と、
前記第2のレジストパターンを除去して、前記第2のレジストパターンの側面に形成した前記原子層堆積膜から構成される側壁パターンを形成する工程と、
前記側壁パターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングすることにより、前記厚膜パターン部のハードマスク層を薄膜化しつつ、前記側壁パターンから露出する前記薄膜部のハードマスク層を除去して、前記厚膜パターン部が薄膜化された第1のハードマスクパターン部と、前記側壁パターンの下に形成される第2のハードマスクパターン部と、を有するハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンから露出する前記光透過性基板をエッチングして、前記転写パターンを形成する工程と、
を順に備えることを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, G03F 7/40 ( 200 6.01)
, B29C 33/38 ( 200 6.01)
, B29C 59/02 ( 200 6.01)
H01L 21/30 502 D
, H01L 21/30 570
, G03F 7/40 521
, B29C 33/38
, B29C 59/02 B
