特許

J-GLOBAL ID：201603013071553588

超伝導量子干渉素子およびその製造方法

発明者： 石黒 亮輔
出願人/特許権者： 国立研究開発法人理化学研究所
代理人 (1件)： 岡本 正之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-025842
公開番号（公開出願番号）：特開2016-149467
出願日： 2015年02月12日
公開日（公表日）： 2016年08月18日
要約：

【課題】 FIB装置により微小に作製しうるSQUIDおよびその製法を提供する。【解決手段】 本発明のある態様では、タングステンを主成分とする超伝導配線によるリング配線径路100がFIB-CVD法により形成され、次いで超伝導配線をFIB法により狭窄してジョセフソン接合部120A、120Bが設けられる超伝導量子干渉素子(SQUID)およびその製造方法が提供される。基体70の表面72のうちSQUIDによる磁気測定動作を障害する位置の少なくともいずれかに超伝導転移性物質が付着する場合には例えばFIB法により除去される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基体の表面上または該表面の上方に、タングステンを主成分とする超伝導配線によるリング配線径路を備えており、 前記リング配線径路の途中には、前記超伝導配線の少なくとも一部が狭窄されたジョセフソン接合部が設けられており、 前記超伝導配線が収束イオンビーム-化学気相成長(FIB-CVD)法により形成されたものであり、 前記ジョセフソン接合部が収束イオンビーム(FIB)法により前記超伝導配線の前記少なくとも一部を狭窄して形成したものである、超伝導量子干渉素子(SQUID)。

IPC (3件)：

H01L 39/24 ,  H01L 39/22 ,  G01R 33/035

FI (4件)：

H01L39/24 J ,  H01L39/22 D ,  H01L39/24 C ,  G01R33/035

Fターム (10件)：

2G017AA04 ,  2G017AD32 ,  4M113AA52 ,  4M113AC08 ,  4M113AD36 ,  4M113BA18 ,  4M113BC08 ,  4M113BC16 ,  4M113BC19 ,  4M113CA12