特許
J-GLOBAL ID:201603013249514379
ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
藤枡 裕実
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 後藤 直樹
, 伊藤 裕介
, 立石 英之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-117470
公開番号(公開出願番号):特開2016-187043
出願日: 2016年06月13日
公開日(公表日): 2016年10月27日
要約:
【課題】欠陥の発生を低減させ、製造時間や製造コストの増大化を抑制することができるナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法を提供する。【解決手段】予め、一方の主面側に転写パターンが形成される領域を有し、他方の主面側に、平面視において、転写パターンが形成される領域と重なり、かつ、転写パターンが形成される領域よりも広い面積を有する凹部13が形成されている光透過性基板10を用いて、転写パターンが形成される領域に、電子線描画またはレーザー描画によりレジストパターンを形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、
一方の主面側に転写パターンが形成される領域を有し、他方の主面側に、平面視において、前記転写パターンが形成される領域と重なり、かつ、前記転写パターンが形成される領域よりも広い面積を有する凹部が形成されている光透過性基板を準備する工程と、
電子線描画またはレーザー描画により前記転写パターンとなるレジストパターンを形成する工程と、
を備え、
前記レジストパターンを形成する工程において、
描画装置に搭載された前記光透過性基板の前記凹部を形成する前後の変形に基づいて前記レジストパターンのパターンデータを補正することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/027
, B29C 59/02
, B29C 33/38
FI (3件):
H01L21/30 502D
, B29C59/02 B
, B29C33/38
Fターム (27件):
4F202AA44
, 4F202AF01
, 4F202AG05
, 4F202AH33
, 4F202AJ06
, 4F202AM22
, 4F202AR07
, 4F202CA19
, 4F202CB01
, 4F202CB29
, 4F202CD05
, 4F202CD23
, 4F202CK12
, 4F209AA44
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AJ06
, 4F209AM22
, 4F209AR07
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PC01
, 4F209PC05
, 4F209PN09
, 4F209PQ11
, 5F146AA32
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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