特許

J-GLOBAL ID：201603013732808880

単一パッケージ磁気抵抗角度センサ

発明者： ディーク、ジェイムス ジーザ ,  ジン、インシク ,  レイ、シャオフォン ,  シェン、ウェイフォン ,  シュエ、ソンシュン ,  ジャン、シャオジュン
出願人/特許権者： 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-555741
特許番号：特許第6017461号
出願日： 2012年03月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 1対のMTJまたはGMR磁気抵抗センサチップを備える単一パッケージ磁気抵抗角度センサであって、 前記対におけるMTJまたはGMR磁気抵抗センサチップの一方は、他方に対して180°回転されており、前記MTJまたはGMR磁気抵抗センサチップは半導体パッケージリードフレームに接着されて、1軸プッシュプルフルブリッジ型角度センサとして構成されており、 前記各MTJまたはGMR磁気抵抗センサチップは、1対の磁気抵抗素子として構成されており、前記対における各磁気抵抗素子は、1つ以上のGMRまたはMTJ磁気抵抗センサ素子の一群を備え、 前記GMRまたはMTJ磁気抵抗センサ素子は、自由磁気層とピンド磁気層とからなるスピンバルブとして構成されており、前記ピンド磁気層の方向は、前記GMRまたはMTJ磁気抵抗センサ素子の磁化容易軸に対して回転自由で、前記自由磁気層固有の飽和磁界は、前記ピンド磁気層のピニング磁界の少なくとも10倍未満であり、 前記自由磁気層は、前記自由磁気層の磁化が印加磁界の方向に応じて回転するように、前記ピンド磁気層の磁化の方向に垂直な方向に磁気バイアスを有しておらず、 前記各GMRまたはMTJ磁気抵抗センサ素子に固有の飽和磁界から前記GMRまたはMTJ磁気抵抗センサチップの伝達曲線のオフセット磁界を引いた量は、磁気抵抗角度センサが測定しようとする磁界よりも小さく、 前記各GMRまたはMTJ磁気抵抗センサチップのボンドパッドは、前記GMRまたはMTJ磁気抵抗センサ素子の各群の各辺に2つ以上のワイヤーボンドが取り付けられるように設計されており、 対応するボンドワイヤーを交差させることなく、前記1軸プッシュプルフルブリッジ型角度センサを形成するために前記2つの同一のGMRまたはMTJ磁気抵抗センサチップをワイヤーボンディングできるように、前記GMRまたはMTJ磁気抵抗センサチップの一方側のボンドパッドの位置を磁気抵抗素子に対して入れ替えることができるようにするために、前記各GMRまたはMTJ磁気抵抗センサチップは、表面導体および裏面導体にクロスオーバーを有しており、 反対方向に配向された前記GMRまたはMTJ磁気抵抗センサチップは、お互い同様のRH値およびRL値を有しており、 前記MTJまたはGMR磁気抵抗センサチップの入力および出力接続口が前記半導体パッケージリードフレームにワイヤーボンドされていることを特徴とする、単一パッケージ磁気抵抗角度センサ。

IPC (2件)：

G01D 5/16 ( 200 6.01) ,  G01D 5/245 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G01D 5/16 G ,  G01D 5/245 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-205117   出願人：アルプス電気株式会社