特許
J-GLOBAL ID：201603013794215265
不揮発性半導体記憶装置及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-018757
公開番号（公開出願番号）：特開2014-149896
特許番号：特許第6012491号
出願日： 2013年02月01日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 不揮発性記憶素子と、
前記不揮発性記憶素子のデータを出力するデータ出力端子と、
前記データ出力端子に接続された前記データを保持するラッチ回路と、
前記不揮発性記憶素子へ書込みデータを出力する書込みデータ送信回路と、
前記不揮発性記憶素子と前記データ出力端子の間に接続された第一スイッチと、
前記データ出力端子と低電圧側電源供給端子の間に接続された第二スイッチと、
前記書込みデータ送信回路の出力端子に接続された第三スイッチと、
前記不揮発性記憶素子と高電圧側電源供給端子の間に接続された第四スイッチと、
前記各スイッチを制御する制御回路と、
を備える不揮発性半導体記憶装置であって、
前記制御回路はテスト端子を備え、
前記制御回路は、前記テスト端子にテストモード信号が入力された時に、第一制御信号で前記第一スイッチをオンして、第二制御信号で前記第二スイッチをオフして、第三制御信号で前記第三スイッチをオンして、第四制御信号で前記第四スイッチをオフして、前記書込みデータ送信回路の書込みデータを前記データ出力端子に出力するように制御する、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/14 ( 200 6.01)
, G11C 17/14 ( 200 6.01)
G11C 29/00 673 T
, G11C 17/06 B
