特許

J-GLOBAL ID：201603014017264801

半導体レーザの製造方法

発明者： 石浦 正巳
出願人/特許権者： 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫 ,  寺澤 正太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-212243
公開番号（公開出願番号）：特開2016-092416
出願日： 2015年10月28日
公開日（公表日）： 2016年05月23日
要約：

【課題】歩留まりの向上可能な半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザの製造方法は、回折格子パターンを有する第1領域と、第1領域の共振器長方向に連結すると共に回折格子パターンが設けられない第2領域と、を備えた共振器パターンを形成する方法である。半導体レーザの製造方法は、第1領域の共振器長方向における長さがそれぞれ異なる複数の共振器パターンを、共振器長方向に交差する方向に複数隣接して設ける第1工程と、複数の共振器パターンのうち、選択された共振器パターンを残して、他を除去する第2工程と、を含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

回折格子パターンを有する第1領域と、前記第1領域の共振器長方向に連結すると共に前記回折格子パターンが設けられない第2領域と、を備えた共振器パターンを形成する半導体レーザの製造方法であって、 前記第1領域の前記共振器長方向における長さがそれぞれ異なる複数の前記共振器パターンを、前記共振器長方向に交差する方向に複数隣接して設ける第1工程と、 複数の前記共振器パターンのうち、選択された共振器パターンを残して、他を除去する第2工程と、 を含む半導体レーザの製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/227

FI (4件)：

H01S5/12 ,  H01S5/026 618 ,  H01S5/026 650 ,  H01S5/227

Fターム (8件)：

5F173AA26 ,  5F173AB23 ,  5F173AD22 ,  5F173AD30 ,  5F173AH14 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AR91