特許
J-GLOBAL ID:201603014232170540

光電変換装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-209845
公開番号(公開出願番号):特開2014-067746
特許番号:特許第5902592号
出願日: 2012年09月24日
公開日(公表日): 2014年04月17日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1濃度でアルカリ金属元素を含む基板上に第1の下部電極層および第2の下部電極層を間隙をあけて併設する工程と、 前記間隙内に前記第1濃度よりも低い第2濃度でアルカリ金属元素を含む高抵抗層を形成する工程と、 前記基板を加熱しながら前記第1の下部電極層上から前記高抵抗層上を経て前記第2の下部電極層上にかけて金属カルコゲナイドを含む半導体層を形成する工程とを具備しており、 前記高抵抗層を形成する工程は、前記半導体層を形成する工程の際に前記第1の下部電極層を介して前記半導体層へ拡散するアルカリ金属元素の量および前記高抵抗層を介して前記半導体層へ拡散するアルカリ金属の量が近似するように前記高抵抗層を形成する工程である光電変換装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L 31/0749 ( 201 2.01)
FI (1件):
H01L 31/06 460
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 光電変換装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2011-042195   出願人:京セラ株式会社
  • 太陽電池
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-313389   出願人:本田技研工業株式会社
  • 光起電力素子とその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-280168   出願人:キヤノン株式会社

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