半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：藤村元彦 , 永岡重幸 , 高野信司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-074130
公開番号（公開出願番号）：特開2013-206502
特許番号：特許第6001296号
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】メモリセルと、データの値を判定する為の閾値となる基準電流を送出する基準メモリセルと、前記基準電流を調整する電流調整回路と、を含む半導体メモリであって、前記電流調整回路は、定電流を生成する定電流生成部と、電流制御信号に応じて時間経過につれて段階的に電流値が増加又は低下する調整電流を前記定電流に基づいて生成し、前記調整電流を前記基準電流に重畳する調整電流生成部と、を有することを特徴とする半導体メモリ。

IPC (1件)：