特許
J-GLOBAL ID：201603014786539660
ナノワイヤサイズの光電構造及びその選択された部分を改質させる方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
, 下山 治
, 永川 行光
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-539714
公開番号（公開出願番号）：特表2015-536566
出願日： 2013年10月22日
公開日（公表日）： 2015年12月21日
要約：
物質によってLED構造を処理する方法であって、LED構造は平坦な支持体上のナノワイヤのアレイを含む。前記方法は、物質源で物質を生成し且つ線に沿って物質をアレイまで移動させることを含む。物質がたどる線と支持体の平面とが成す角度は、支持体の中心から測定した場合、90°未満である。物質は、物質により処理される前と比較してナノワイヤの一部分を非導電性にさせるか又はその部分の導電率を低下させることが可能である。
請求項（抜粋）：
平坦な支持体の上の複数のナノワイヤのアレイを備えるLED構造を物質によって処理する方法であって、物質源で前記物質を生成し、前記物質を線に沿って前記アレイまで移動させることを含み、
(i)前記物質がたどる前記線と前記支持体の平面とが成す角度は、前記支持体の中心から測定した場合に90°未満であり、且つ
(ii)前記物質は、前記物質により処理される前と比較して前記複数のナノワイヤの部分を非導電性にさせるか又は前記部分の導電率を低下させることが可能であることを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F241CA02
, 5F241CA05
, 5F241CA40
, 5F241CA63
, 5F241CA64
, 5F241CA88
, 5F241CA92
