特許
J-GLOBAL ID:201603014845404323
半導体装置及び該半導体装置を含む電子機器
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-075589
公開番号(公開出願番号):特開2016-001722
出願日: 2015年04月02日
公開日(公表日): 2016年01月07日
要約:
【課題】半導体装置に良好な電気特性を付与する。または、オン電流の高い半導体装置を提供する。または、微細化に適した半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、絶縁膜と、を有する半導体装置であって、ソース電極は、酸化物半導体膜と接する領域を有し、ドレイン電極は、酸化物半導体膜と接する領域を有し、ゲート絶縁膜は、酸化物半導体膜と、ゲート電極との間に設けられ、絶縁膜は、ゲート電極上と、ゲート絶縁膜上と、に設けられ、絶縁膜は、第1の部分と、第2の部分と、を有し、第1の部分は、段差状になっている部分を有し、第2の部分は、段差状になっていない部分を有し、第1の部分は、第1の膜厚である部分を有し、第2の部分は、第2の膜厚である部分を有し、第2の膜厚は、第1の膜厚の1.0倍以上2.0倍以下である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、絶縁膜と、を有する半導体装置であって、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と、前記ゲート電極との間に設けられ、
前記絶縁膜は、前記ゲート電極上と、前記ゲート絶縁膜上と、に設けられ、
前記絶縁膜は、第1の部分と、第2の部分と、を有し、
前記第1の部分は、段差状になっている部分を有し、
前記第2の部分は、段差状になっていない部分を有し、
前記第1の部分は、第1の膜厚である部分を有し、
前記第2の部分は、第2の膜厚である部分を有し、
前記第2の膜厚は、前記第1の膜厚の1.0倍以上2.0倍以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (19件):
H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/477
, H01L 21/823
, H01L 27/092
, H01L 27/088
, H01L 21/28
, H01L 29/417
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 21/824
, H01L 27/108
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/105
, H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 51/50
FI (18件):
H01L29/78 619A
, H01L29/78 618B
, H01L21/477
, H01L27/08 321G
, H01L27/08 102E
, H01L21/28 301B
, H01L29/50 M
, H01L29/58 G
, H01L27/10 321
, H01L27/10 671C
, H01L27/10 671Z
, H01L27/10 615
, H01L27/10 434
, H01L29/78 371
, H01L27/10 441
, H01L21/316 X
, H01L21/318 C
, H05B33/14 A
Fターム (293件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC11
, 3K107CC14
, 3K107CC21
, 3K107EE04
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