半導体素子の評価方法及び半導体素子の評価装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-148738
公開番号（公開出願番号）：特開2015-023091
特許番号：特許第5971208号
出願日： 2013年07月17日
公開日（公表日）： 2015年02月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体素子に電圧を印加して不良箇所を発光で特定する半導体素子の評価方法であって、被評価素子に印加する電圧を徐々に上昇させながら発光状態を監視する工程と、所定の強度の発光が確認された時点で、前記電圧の上昇を停止する工程と、該上昇を停止した時の電圧を保持しながら前記被評価素子の発光部の撮影を行う工程と、前記発光部の場所を特定することで、半導体素子の不良箇所を特定する工程とを有することを特徴とする半導体素子の評価方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ( 200 6.01) , G01R 31/28 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/66 Q , G01R 31/28 K

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