特許
J-GLOBAL ID:201603015243195070

チップオンボード型のパッケージ基板を有する発光装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 重泉 達志
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2013061059
公開番号(公開出願番号):WO2013-154181
出願日: 2013年04月12日
公開日(公表日): 2013年10月17日
要約:
【課題】成長基板のない状態でチップオンボード型のパッケージ基板本体上に半導体発光部を形成することのできる発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数の発光ダイオード発光部を有するチップオンボード型のパッケージ基板を備える発光装置の製造方法であって、複数の発光ダイオード素子を成長基板の他の基板に接合することなく各発光ダイオード素子ごとに別個にパッケージ基板本体に直接的に実装する実装工程と、パッケージ基板本体に各発光ダイオード素子が直接的に実装された状態で、発光ダイオード素子よりも大きなスポット径のレーザを走査させることなく各発光ダイオード素子ごとに素子全体にレーザを均一に照射し成長基板の全部分を剥離する剥離工程と、を含むようにした。【選択図】図9
請求項(抜粋):
複数の発光ダイオード発光部を有するチップオンボード型のパッケージ基板を備える発光装置の製造方法であって、 成長基板と、前記成長基板上の半導体発光部と、前記半導体発光部上の電極と、をそれぞれ有する互いに独立した複数のフリップチップ型の発光ダイオード素子から、所期の性能を満たす発光ダイオード素子を選別する選別工程と、 前記選別工程にて選別された複数の発光ダイオード素子を、成長基板の他の基板に接合することなく、前記各発光ダイオード素子ごとに別個にパッケージ基板本体に直接的に実装する実装工程と、 前記パッケージ基板本体に前記各発光ダイオード素子が直接的に実装された状態で、前記発光ダイオード素子よりも大きなスポット径のレーザを走査させることなく、前記各発光ダイオード素子ごとに素子全体にレーザを均一に照射し、前記成長基板の全部分を剥離する剥離工程と、を含むチップオンボード型のパッケージ基板を有する発光装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L 33/48
FI (1件):
H01L33/00 400
Fターム (23件):
5F142AA05 ,  5F142AA56 ,  5F142AA86 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CA13 ,  5F142CB12 ,  5F142CB17 ,  5F142CB23 ,  5F142CD02 ,  5F142CD13 ,  5F142CD14 ,  5F142CD15 ,  5F142CD17 ,  5F142CD18 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142DA12 ,  5F142DA73 ,  5F142FA32 ,  5F142FA38 ,  5F142FA40 ,  5F142GA22

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