特許

J-GLOBAL ID：201603015408856424

半導体装置の製造方法

発明者： 寺西 秀明 ,  中澤 治雄 ,  荻野 正明
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013065104
公開番号（公開出願番号）：WO2013-180244
出願日： 2013年05月30日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：

1290°C以上の高温長時間の熱拡散によって深い拡散層を形成するにあたって、深い拡散層を形成する熱拡散のための熱処理を、酸素雰囲気または酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気の第1熱処理を行った後に、窒素雰囲気または窒素と酸素との混合ガス雰囲気の第2熱処理を行う構成とする。第1熱処理では、CZ-FZシリコン半導体基板(1)の露出部分を熱酸化してCZ-FZシリコン半導体基板(1)内の空孔欠陥(2)を格子間シリコン原子で埋めるとともに、ボロンイオン注入層(6)を拡散させてボロン拡散層を形成する。第2熱処理では、ボロン拡散層を拡散させて深い拡散層を形成する。これにより、1290°C以上シリコン結晶の融解温度未満の熱処理温度および100時間以上の高温長時間の熱拡散によって深さ50μm以上の拡散層を形成する工程を有する場合でも、結晶欠陥の発生を抑制し、かつ不活性ガスの使用量を削減させて製造コストを低減することができる。

請求項（抜粋）：

フローティングゾーン法により製造されるシリコン半導体基板に、1290°C以上シリコン結晶の融解温度未満の範囲内の熱処理温度の熱拡散によって深さ50μm以上の拡散層を形成する拡散工程を含み、 前記拡散工程では、酸素雰囲気または酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気の第1熱処理を行った後に、窒素雰囲気または窒素と酸素との混合ガス雰囲気の第2熱処理を行うことにより前記拡散層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/12

FI (6件)：

H01L21/265 602A ,  H01L21/324 X ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652T