特許
J-GLOBAL ID:201603015461150088
ウェハ割断方法及びウェハ割断装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松浦 憲三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-087866
公開番号(公開出願番号):特開2016-167618
出願日: 2016年04月26日
公開日(公表日): 2016年09月15日
要約:
【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができるウェハ割断方法及びウェハ割断装置を提供する。【解決手段】ウェハチャックでウェハの表面を真空吸着した状態でウェハの裏面を研削砥石で研削する研削工程と、研削工程後、ウェハの裏面を、研磨布を用いて研磨する研磨工程と、研磨工程後、ウェハを割断する割断工程と、を有する。【選択図】図9
請求項(抜粋):
内部にレーザ光で改質領域を形成したウェハを割断するウェハ割断方法において、
ウェハチャックで前記ウェハの表面を真空吸着した状態で前記ウェハの裏面を研削砥石で研削する研削工程と、
前記研削工程後、前記ウェハの裏面を、研磨布を用いて研磨する研磨工程と、
前記研磨工程後、前記ウェハを割断する割断工程と、
を有するウェハ割断方法。
IPC (5件):
H01L 21/301
, H01L 21/304
, B23K 26/53
, B24B 7/22
, B24B 37/10
FI (8件):
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, H01L21/78 V
, H01L21/304 631
, H01L21/304 621D
, B23K26/53
, B24B7/22 Z
, B24B37/04 G
Fターム (42件):
3C043BA04
, 3C043BA09
, 3C043CC04
, 3C043CC12
, 3C158AA07
, 3C158DA12
, 3C158EA26
, 4E168AE01
, 4E168CA06
, 4E168CA07
, 4E168CB03
, 4E168CB07
, 4E168CB12
, 4E168CB18
, 4E168DA02
, 4E168DA24
, 4E168DA32
, 4E168DA45
, 4E168DA60
, 4E168HA01
, 4E168JA11
, 5F057AA06
, 5F057BA11
, 5F057BB03
, 5F057CA14
, 5F057DA03
, 5F057DA11
, 5F057EB20
, 5F057FA32
, 5F063AA05
, 5F063AA15
, 5F063CB03
, 5F063CB07
, 5F063CB23
, 5F063CB29
, 5F063DD27
, 5F063DD31
, 5F063DD59
, 5F063DD61
, 5F063DD63
, 5F063DD68
, 5F063FF04
引用特許:
審査官引用 (9件)
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ウェーハ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-058331
出願人:株式会社東京精密
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特許第4440582号
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加工対象物研削方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-311643
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-251349
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
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特許第4440582号
-
ウエーハの分割方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-044633
出願人:株式会社ディスコ
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特許第4440582号
-
ウェハの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-004583
出願人:株式会社デンソー
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-325022
出願人:株式会社東芝
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