特許

J-GLOBAL ID：201603015480516433

半導体装置

発明者： 新保 宏幸 ,  田丸 雅規
出願人/特許権者： 株式会社ソシオネクスト
代理人 (1件)： 特許業務法人前田特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013002675
公開番号（公開出願番号）：WO2013-161249
出願日： 2013年04月22日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：

配線リソースを確保し、面積を増大させることなく、確実に基板電源を供給できる半導体装置を提供する。ウェル領域に形成される不純物拡散領域と、不純物拡散領域に接し、縦方向に延伸するローカル配線と、ローカル配線の上層に形成され横方向に延伸する電位給電配線と、ローカル配線と電位給電配線とを接続するコンタクトホールとを備えている。電位給電配線、コンタクトホール、ローカル配線、不純物拡散領域を介して、ウェル領域に基板電位が供給される。

請求項（抜粋）：

第一の方向に延びて形成される複数の第一導電型ウェル領域と、前記第一の方向に延びて形成される複数の第二導電型ウェル領域とを有し、 第一導電型ウェル領域と第二導電型ウェル領域が前記第一の方向と垂直方向である第二の方向に交互に並ぶように、前記複数の第一導電型ウェル領域と前記複数の第二導電型ウェル領域が配置される 半導体装置であって、 前記複数の第一導電型ウェル領域にそれぞれ形成される複数の第一の不純物拡散領域と、 前記複数の第一の不純物拡散領域のそれぞれに接し、前記第二の方向に延伸する第一のローカル配線と、 前記第一のローカル配線より上層に形成され、前記第一方向に延伸する第一の電位給電配線と、 前記第一のローカル配線と前記第一の電位給電配線とを接続するコンタクトホールと、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L21/82 L ,  H01L27/04 D

Fターム (19件)：

5F038CD02 ,  5F038CD04 ,  5F038CD10 ,  5F038CD12 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA04 ,  5F064BB35 ,  5F064CC12 ,  5F064DD19 ,  5F064EE09 ,  5F064EE13 ,  5F064EE16 ,  5F064EE22 ,  5F064EE26 ,  5F064EE27 ,  5F064EE32 ,  5F064EE42 ,  5F064EE52 ,  5F064EE60